收藏本站
IDT71V256SA
3.3V CMOS Static RAM 256K (32K x 8-Bit)
AC Test Conditions
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
AC Test Load
3.3V
320 ?
DATA OUT
GND to 3.0V
3ns
1.5V
1.5V
See Figures 1 and 2
3101 tbl 09
Commercial and Industrial Temperature Ranges
3.3V
320 ?
DATA OUT
350 ?
30pF*
,
350 ?
5pF*
,
3101 drw 04
3101 drw 05
Figure 1. AC Test Load
*Includes scope and jig capacitances
Figure 2. AC Test Load
(for t CLZ , t OLZ , t CHZ , t OHZ , t OW , t WHZ )
AC Electrical Characteristics
(V CC = 3.3V ± 0.3V, Commercial and Industrial Temperature Ranges)
71V256SA10
71V256SA12
71V256SA15
71V256SA20
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Read Cycle
t OLZ
t RC
t AA
t ACS
t CLZ (1)
t CHZ (1)
t OE
(1)
t OHZ (1)
t OH
Read Cycle Time
Address Access Time
Chip Select Access Time
Chip Select to Output in Low-Z
Chip Select to Output in High-Z
Output Enable to Output Valid
Output Enable to Output in Low-Z
Output Disable to Output in High-Z
Output Hold from Address Change
10
____
____
5
0
____
3
2
3
____
10
10
____
8
6
____
6
____
12
____
____
5
0
____
3
2
3
____
12
12
____
8
6
____
6
____
15
____
____
5
0
____
0
0
3
____
15
15
____
9
7
____
7
____
20
____
____
5
0
____
0
0
3
____
20
20
____
10
8
____
8
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Write Cycle
t WC
t AW
t CW
t AS
t WP
t WR
t DW
t DH
t OW (1)
t WHZ (1)
Write Cycle Time
Address Valid to End-of-Write
Chip Select to End-of-Write
Address Set-up Time
Write Pulse Width
Write Recovery Time
Data to Write Time Overlap
Data Hold from Write Time
Output Active from End-of-Write
Write Enable to Output in High-Z
10
9
9
0
9
0
6
0
4
1
____
____
____
____
____
____
____
____
____
8
12
9
9
0
9
0
6
0
4
1
____
____
____
____
____
____
____
____
____
8
15
10
10
0
10
0
7
0
4
1
____
____
____
____
____
____
____
____
____
9
20
15
15
0
15
0
8
0
4
1
____
____
____
____
____
____
____
____
____
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
NOTE:
1. This parameter guaranteed with the AC test load (Figure 2) by device characterization, but is not production tested.
4
3101 tbl 10
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IDT71V25761S200PFGI IC SRAM 4MBIT 200MHZ 100TQFP
IDT71V30L35TFI IC SRAM 8KBIT 35NS 64STQFP
IDT71V321L25TFI IC SRAM 16KBIT 25NS 64STQFP
IDT71V3556SA166BGGI IC SRAM 4MBIT 166MHZ 119BGA
IDT71V3559S85BQI IC SRAM 4MBIT 85NS 165FBGA
IDT71V35761YSA200BGI IC SRAM 4MBIT 200MHZ 119BGA
IDT71V3577S75BQG IC SRAM 4MBIT 75NS 165FBGA
IDT71V3578S150PFGI IC SRAM 4MBIT 150MHZ 100TQFP
相关代理商/技术参数
IDT71V256SA20PZG8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 28TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘
IDT71V256SA20PZGI 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 28TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘
IDT71V256SA20PZGI8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 28TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘
IDT71V256SA20PZI 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 28TSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI
IDT71V256SA20PZI8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 28TSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI
IDT71V256SA20Y 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 28SOJ RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI
IDT71V256SA20Y8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 28SOJ RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI
IDT71V256SA20YG 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 28SOJ RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI